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"중국 과학자, 3나노 트랜지스터 개발 성공 주장"
인간 DNA 가닥 굵기…"성능 획기적으로 높이고 전력 줄여" 주장
2019년 05월 27일(월) 14:28
삼성전자 클린룸, 반도체 생산현장 [삼성전자 제공]
중국의 한 과학자가 3나노(㎚, 1㎚=10억 분의 1m) 트랜지스터를 개발하는 데 성공했다는 주장을 펼쳤다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 27일 보도했다.

SCMP에 따르면 중국과학원 미전자(微電子)연구소의 인화샹 교수가 이끄는 연구팀은 미국전자전기공학회(IEEE)가 발간하는 '일렉트론 디바이스 레터(EDL)' 5월호에 이러한 연구 성과를 담은 논문을 발표했다고 밝혔다.

트랜지스터는 반도체 칩의 셀(정보 저장의 최소 단위)을 구성한다. 트랜지스터 굵기가 가늘어질수록 더 많은 트랜지스터가 칩에 집적되며, 이는 더 뛰어난 성능을 가진 칩의 개발을 가능케 한다.

인 교수는 자신의 연구팀이 개발한 3나노 트랜지스터가 인간 DNA 가닥의 굵기와 비슷하며, 이번 개발로 손톱 크기 칩에 수백억 개의 트랜지스터를 집적하는 것이 가능해졌다고 주장했다.

그 결과 성능은 획기적으로 개선하고 소모전력은 크게 줄인 반도체 칩을 개발할 수 있게 됐다고 그는 주장했다.

그는 "3나노 트랜지스터를 적용한 스마트폰은 재충전 없이 온종일 게임을 즐길 수 있게 할 것"이라며 "이번 돌파구 마련으로 중국은 칩 개발의 최전선에서 세계 톱 플레이어들과 정면 대결을 벌일 수 있게 됐다"고 말했다.

다만 소재와 품질 관리의 문제로 인해 이 3나노 트랜지스터의 상업화에는 수년의 시간이 걸릴 것이라고 인 교수는 전했다.

중국 칭화대의 한 반도체 분야 교수는 "미국과의 무역전쟁으로 인해 중국은 서방 국가들을 빠르게 따라잡고 있다"며 "다만 격차는 아직 남아 있으며, 한 번의 돌파구로 이를 좁힐 수는 없는 노릇"이라고 말했다.

현재 세계 반도체 업계에서 공정 미세화의 선두주자인 삼성전자는 3나노 공정 기술 개발에 박차를 가하고 있다.

삼성전자는 지난해 5월 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 '삼성 파운드리 포럼 2018'을 열고 2020년까지 7나노를 넘어 3나노 공정까지 기술을 개발한다는 로드맵을 제시했다.

7나노 기술과 비교하면 3나노 트랜지스터가 적용된 반도체 프로세서는 성능을 35% 향상하고, 소모전력을 절반가량 줄일 것이라고 삼성전자는 기대했다.

/연합뉴스